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非線性晶體
KD*P 電光Q開關

波前畸變：< λ / 8 @ 633nm

平面度：< λ / 8 @ 633nm

平行度：< 20 arc sec

垂直度：< 5 arc min

表面光潔度：< 10-5(Scratch-Dig)

消光比：>1000:1 

應用光譜范圍：240-1400 mm


  • 產(chǎn)品描述
  • 產(chǎn)品特征
  • 產(chǎn)品曲線

KD*P 插入損耗低，無應力，電光效應性能好，并且轉(zhuǎn)換效率高，是一種性能優(yōu)異的電光材料，常應用于低重復頻率的脈沖固體激光器中。通過采用含氘量大于98%的磷酸二氘鉀晶體縱向效應制成電光Q開關，從檢測指標優(yōu)異的DKDP毛坯中選取消光比高，均勻性好的晶體區(qū)域，制成圓柱狀器件，在側(cè)面加電極，用于產(chǎn)生縱向電場，外殼采用封閉式設計，并通過防水實驗。


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